PN结是一种重要的半导体器件,广泛应用于电子学领域。当PN结两端加正向电压时,其正向电阻的变化是一个重要的研究方向。本文将从PN结的基本原理出发,探讨PN结在正向电压下的电阻变化。
PN结是由p型半导体和n型半导体组成的结构。在PN结中,p型半导体中的空穴和n型半导体中的电子会在结区域相遇,形成一个耗尽区。在耗尽区中,电子和空穴被彼此吸引,形成一个电势垒。当PN结两端施加正向电压时,正电荷会向p型半导体移动,负电荷会向n型半导体移动,这会减小电势垒,使得电子和空穴可以自由穿越PN结,形成电流。这个过程被称为正向偏置。
在PN结正向偏置的情况下,PN结的正向电阻会显著减小。这是因为在正向偏置下,耗尽区中的电子和空穴可以自由穿越PN结,形成电流。这个电流会导致PN结两端的电压降低,使得PN结的正向电阻减小。
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PN结正向电阻的大小取决于正向偏置电压的大小。当正向偏置电压很小时,PN结的正向电阻也很小,电流很大。但是当正向偏置电压超过某个阈值时,PN结的正向电阻会急剧增加,电流急剧降低。这是因为在这个阈值电压下,PN结中的电子和空穴已经被完全激发,无法再增加电流。
总之,当PN结两端加正向电压时,其正向电阻会显著减小。但是当正向偏置电压超过某个阈值时,PN结的正向电阻会急剧增加。这个阈值电压被称为PN结的正向导通电压。因此,在PN结的应用中,需要根据具体情况选择适当的正向偏置电压,以保证PN结正常工作。
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