IGBT管是一种三端晶体管,由晶体管和MOSFET管的优点结合而成。它的结构如下图所示:

IGBT管的结构包括PN结、N+区、P+区、漂移区和栅极。其中,PN结是IGBT管的主结构,它由P型半导体和N型半导体组成。N+区和P+区是为了降低PN结的电阻而形成的。漂移区是PN结和N+区之间的区域,它的宽度决定了IGBT管的电压承受能力。栅极是IGBT管的控制端,通过在栅极上施加电压来控制PN结的导通和截止。
IGBT管的工作原理如下图所示:

当栅极电压为零时,PN结处于截止状态,IGBT管不导电。当栅极电压为正时,栅极和N+区之间会形成一个电子空穴层,使得PN结处于导通状态,IGBT管导电。当栅极电压为负时,栅极和N+区之间会形成一个电子层,使得PN结处于截止状态,IGBT管不导电。
因此,通过控制栅极电压的正负来控制IGBT管的导通和截止,从而实现对电路的控制。IGBT管具有低导通电阻、高电压承受能力、快速开关速度等优点,被广泛应用于电力电子领域。
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